浙江某科技有限公司是国内领先的半导体封装材料生产企业,其晶圆清洗、蚀刻等工序产生含高浓度氟化铵(NH₄F)、硝酸(HNO₃)、微量铜离子(Cu²⁺≤80mg/L)及有机光刻胶残留物(COD 6000-9000mg/L)的工业废水,废水TDS达28,000-40,000mg/L,具有强酸性(pH 1-3)、高腐蚀性、结垢风险大等特点。传统“中和沉淀+双膜法”工艺难以回收高价值氟资源且无法满足《电子工业水污染物排放标准》(GB 39731-2020),企业亟需一套高效、耐腐蚀的废水零排放系统,以实现氟资源循环利用并降低危废处置成本。
1.处理目标
水量:2.5t/h半导体废水,20小时/天间歇运行,年处理量约1.8万吨。
水质:F⁻≤8000mg/L,NO₃⁻≤12,000mg/L,pH 1-3,COD≤8000mg/L。
排放要求:废水100%资源化(冷凝水回用于生产线,氟化铵回收率≥90%),实现危废减量化90%以上。
2.核心挑战
废水强酸性加速设备腐蚀,氟化物易结垢堵塞蒸发管;
需高效分离硝酸与氟化铵以实现资源回用;
光刻胶残留物高温蒸发易碳化,影响系统稳定性。
酸回收预处理+MVR分步结晶+深度净化
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